RN1130MFV(TPL3)

产品属性

属性值

制造商：

东芝

产品分类：

双极晶体管 - 预偏置

RoHS：

N

配置：

单身的

晶体管极性：

NPN

典型输入电阻：

100 kOhms

典型电阻比：

1

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

VESM-3

DC 集电极/基极增益 hfe 最小值：

100

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

50 V

连续集电极电流：

100 mA

峰值直流集电极电流：

100 mA

Pd - 功耗：

150 mW

最低工作温度：

- 65 C

最高工作温度：

+ 150 C

系列：

RN1130MFV

打包：

卷轴

集电极-基极电压 VCBO：

50 V

直流电流增益 hFE 最大值：

100

发射极基极电压 VEBO：

10 V

高度：

0.5 mm

长度：

1.2 mm

工作温度范围：

- 65 C to + 150 C

类型：

NPN外延硅晶体管

宽度：

0.8 mm

品牌：

东芝

产品类别：

BJT - 双极晶体管 - 预偏置

出厂包装数量：

8000

子类别：

晶体管

Tags

RN1130MFV(T, RN1130M, RN1130, RN113, RN11, RN1