IRFI4510GPBF

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-220-3

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

100 V

Id - 连续漏极电流：

35 A

Rds On - 漏源电阻：

10.7 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

4 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

54 nC

Pd - 功耗：

42 W

打包：

管子

高度：

15.65 mm

长度：

10 mm

宽度：

4.4 mm

品牌：

英飞凌科技

正向跨导 - 最小值：

55 S

秋季时间：

37 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

33 ns

出厂包装数量：

2000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

54 ns

典型的开启延迟时间：

16 ns

第 # 部分别名：

SP001566752

单位重量：

0.211644 oz

Tags

IRFI4, IRFI, IRF