2N6768

产品属性

属性值

制造商：

微芯片

产品分类：

MOSFET

RoHS：

N

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-204AE-2

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

400 V

Id - 连续漏极电流：

14 A

Rds On - 漏源电阻：

400 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

2 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

110 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

150 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

晶体管类型：

1 N-Channel

品牌：

微芯片/Microsemi

秋季时间：

130 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

190 ns

出厂包装数量：

22

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

170 ns

典型的开启延迟时间：

35 ns

单位重量：

0.014110 oz

Tags

2N6768, 2N676, 2N67, 2N6