BSS139 H6327

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-23-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

250 V

Id - 连续漏极电流：

100 mA

Rds On - 漏源电阻：

14 Ohms

Vgs th - 栅源阈值电压：

2.1 V

Vgs - 栅源电压：

10 V

Qg - 门电荷：

2.3 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

360 mW

配置：

单身的

频道模式：

消耗

资质：

AEC-Q101

打包：

卷轴

高度：

1.1 mm

长度：

2.9 mm

产品：

MOSFET 小信号

晶体管类型：

1 N-Channel

宽度：

1.3 mm

品牌：

英飞凌科技

正向跨导 - 最小值：

0.06 S

秋季时间：

182 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

5.4 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

29 ns

典型的开启延迟时间：

5.8 ns

第 # 部分别名：

BSS139H6327XT BSS139H6327XTSA1 SP000702610

单位重量：

0.000282 oz

Tags

BSS139H63, BSS139H, BSS139, BSS13, BSS1, BSS