150-101N09A-00

产品属性

属性值

制造商：

IXYS

产品分类：

射频 MOSFET 晶体管

RoHS：

Y

晶体管极性：

N通道

技术：

硅

Id - 连续漏极电流：

9 A

Vds - 漏源击穿电压：

100 V

Rds On - 漏源电阻：

160 mOhms

输出功率：

200 W

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 175 C

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SMD-6

打包：

管子

工作频率：

100 MHz

系列：

德

类型：

射频功率MOSFET

品牌：

IXYS

正向跨导 - 最小值：

2.5 S

通道数：

1 Channel

产品类别：

射频 MOSFET 晶体管

Qg - 门电荷：

22 nC

出厂包装数量：

40

子类别：

MOSFET

Vgs - 栅源电压：

20 V

Vgs th - 栅源阈值电压：

2 V

Tags

150-10, 150-1, 150