MMBTH81

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

射频双极晶体管

RoHS：

Y

系列：

MMBTH81

晶体管类型：

双极

技术：

硅

晶体管极性：

PNP

DC 集电极/基极增益 hfe 最小值：

60

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

20 V

发射极基极电压 VEBO：

3 V

连续集电极电流：

0.05 A

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

配置：

单身的

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-23

打包：

卷轴

集电极-基极电压 VCBO：

20 V

直流电流增益 hFE 最大值：

60 at 5 mA at 10 V

高度：

0.93 mm

长度：

2.92 mm

工作频率：

600 MHz

类型：

射频双极小信号

宽度：

1.3 mm

品牌：

安森美半导体/飞兆半导体

增益带宽积 fT：

600 MHz (Min)

最大直流集电极电流：

0.05 A

Pd - 功耗：

225 mW

产品类别：

射频双极晶体管

出厂包装数量：

3000

子类别：

晶体管

第 # 部分别名：

MMBTH81_NL

单位重量：

0.000282 oz

Tags

MMBTH8, MMBTH, MMBT, MMB