RN1101MFV,L3F

产品属性

属性值

制造商：

东芝

产品分类：

双极晶体管 - 预偏置

RoHS：

Y

晶体管极性：

NPN

典型输入电阻：

4.7 kOhms

典型电阻比：

1

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

VESM-3

DC 集电极/基极增益 hfe 最小值：

30

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

50 V

连续集电极电流：

100 mA

Pd - 功耗：

150 mW

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

系列：

RN1101

打包：

卷轴

集电极-基极电压 VCBO：

50 V

发射极基极电压 VEBO：

10 V

高度：

0.5 mm

长度：

1.2 mm

工作温度范围：

- 55 C to + 150 C

类型：

NPN外延硅晶体管

宽度：

0.8 mm

品牌：

东芝

通道数：

1 Channel

频道模式：

增强

产品类别：

BJT - 双极晶体管 - 预偏置

出厂包装数量：

8000

子类别：

晶体管

Tags

RN1101M, RN1101, RN110, RN11, RN1