2N6229

产品属性

属性值

制造商：

微芯片

产品分类：

双极晶体管 - BJT

RoHS：

N

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-3

晶体管极性：

PNP

配置：

单身的

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

100 V

集电极-基极电压 VCBO：

100 V

发射极基极电压 VEBO：

7 V

集电极-发射极饱和电压：

2 V

增益带宽积 fT：

1 MHz

最低工作温度：

- 65 C

最高工作温度：

+ 200 C

直流电流增益 hFE 最大值：

100

打包：

托盘

品牌：

微芯片/Microsemi

连续集电极电流：

10 A

DC 集电极/基极增益 hfe 最小值：

25

Pd - 功耗：

150 W

产品类别：

BJT - 双极晶体管

出厂包装数量：

1

子类别：

晶体管

Tags

2N622, 2N62, 2N6