SI8900EDB-T2-E1

SI8900EDB-T2-E1
Mfr. #:
SI8900EDB-T2-E1
制造商:
Vishay
描述:
RF Bipolar Transistors MOSFET 20V 7.0A 1.8W Bi-Directional
生命周期:
制造商新产品。
数据表:
SI8900EDB-T2-E1 数据表
交货:
DHL FedEx Ups TNT EMS
支付:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
产品属性
属性值
制造商
威世硅
产品分类
FET - 阵列
系列
沟槽FETR
打包
Digi-ReelR 替代包装
安装方式
贴片/贴片
包装盒
10-UFBGA, CSPBGA
技术
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装型
表面贴装
通道数
2 Channel
供应商-设备-包
10-Micro Foot CSP (2x5)
配置
双重的
FET型
2 N-Channel (Dual) Common Drain
最大功率
1W
晶体管型
2 N-Channel
漏源电压 Vdss
20V
输入电容-Ciss-Vds
-
FET-Feature
逻辑电平门
Current-Continuous-Drain-Id-25°C
5.4A
Rds-On-Max-Id-Vgs
-
Vgs-th-Max-Id
1V @ 1.1mA
栅极电荷-Qg-Vgs
-
钯功耗
1 W
最高工作温度
+ 150 C
最低工作温度
- 55 C
秋季时间
4500 ns
上升时间
4500 ns
VGS-栅极-源极-电压
12 V
Id 连续漏极电流
5.4 A
Vds-漏-源-击穿电压
20 V
Rds-On-Drain-Source-Resistance
24 mOhms
晶体管极性
N通道
典型关断延迟时间
55000 ns
典型开启延迟时间
3000 ns
通道模式
增强
Tags
SI8900E, SI8900, SI890, SI89, SI8
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***ark
N CHANNEL MOSFET, 20V, 7A, MICRO FOOT
***i-Key
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP
型号 制造商 描述 库存 价格
SI8900EDB-T2-E1
DISTI # SI8900EDB-T2-E1TR-ND
Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)
Temporarily Out of Stock
  • 3000:$1.6093
SI8900EDB-T2-E1
DISTI # 781-SI8900EDB-E1
Vishay IntertechnologiesMOSFET 20V 7.0A 1.8W Bi-Directional
RoHS: Compliant
0
  • 3000:$1.4700
图片 型号 描述
SI8900EDB-T2-E1

Mfr.#: SI8900EDB-T2-E1

OMO.#: OMO-SI8900EDB-T2-E1

MOSFET 20V 7.0A 1.8W Bi-Directional
SI8900EDB-T2-E1

Mfr.#: SI8900EDB-T2-E1

OMO.#: OMO-SI8900EDB-T2-E1-VISHAY

RF Bipolar Transistors MOSFET 20V 7.0A 1.8W Bi-Directional
SI8900EDB

Mfr.#: SI8900EDB

OMO.#: OMO-SI8900EDB-1190

全新原装
SI8900EDB-T2-E1CT

Mfr.#: SI8900EDB-T2-E1CT

OMO.#: OMO-SI8900EDB-T2-E1CT-1190

全新原装
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参考价格(美元)
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US$2.20
US$2.20
10
US$2.09
US$20.95
100
US$1.98
US$198.45
500
US$1.87
US$937.15
1000
US$1.76
US$1 764.00
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