RU1C002ZPTCL

产品属性

属性值

制造商：

罗姆半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-323FL-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

200 mA

Rds On - 漏源电阻：

1.2 Ohms

Vgs th - 栅源阈值电压：

300 mV

Vgs - 栅源电压：

4.5 V

Qg - 门电荷：

1.4 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

150 mW

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

0.9 mm

长度：

2 mm

产品：

MOSFET

系列：

RU1C002ZP

晶体管类型：

1 P-Channel MOSFET

类型：

功率MOSFET

宽度：

1.25 mm

品牌：

罗姆半导体

秋季时间：

17 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

4 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

17 ns

典型的开启延迟时间：

6 ns

第 # 部分别名：

RU1C002ZP

单位重量：

0.004395 oz

Tags

RU1C002ZPT, RU1C002Z, RU1C002, RU1C0, RU1C, RU1