EFC4626R-TR

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

EFCP1010-4

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

24 V

Rds On - 漏源电阻：

37.5 mOhms, 37.5 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

500 mV

Vgs - 栅源电压：

10 V

Qg - 门电荷：

7.5 nC, 7.5 nC

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1.4 W

配置：

双重的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

系列：

EFC4626R

晶体管类型：

2 N-Channel

品牌：

安森美半导体

正向跨导 - 最小值：

7 S, 7 S

秋季时间：

38.4 us, 38.4 us

产品类别：

MOSFET

上升时间：

350 ns, 350 ns

出厂包装数量：

8000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

22 us, 22 us

典型的开启延迟时间：

20 ns, 20 ns

单位重量：

0.000018 oz

Tags

EFC462, EFC46, EFC4, EFC