NTMS5835NLR2G

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOIC-8

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

40 V

Id - 连续漏极电流：

9.2 A

Rds On - 漏源电阻：

14 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

3 V

Qg - 门电荷：

50 nC

Pd - 功耗：

1.5 W

配置：

单身的

打包：

卷轴

系列：

NTMS5835NL

晶体管类型：

1 N-Channel

品牌：

安森美半导体

正向跨导 - 最小值：

10 S

秋季时间：

9 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

45 ns

出厂包装数量：

2500

子类别：

MOSFET

单位重量：

0.017870 oz

Tags

NTMS58, NTMS5, NTMS, NTM