BSS83P H6327

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-23-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

60 V

Id - 连续漏极电流：

330 mA

Rds On - 漏源电阻：

3 Ohms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1 V

Vgs - 栅源电压：

4.5 V

Qg - 门电荷：

2.38 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

360 mW

配置：

单身的

频道模式：

增强

资质：

AEC-Q101

打包：

卷轴

高度：

1.1 mm

长度：

2.9 mm

产品：

MOSFET 小信号

晶体管类型：

1 P-Channel

宽度：

1.3 mm

品牌：

英飞凌科技

正向跨导 - 最小值：

0.24 S

秋季时间：

61 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

71 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

56 ns

典型的开启延迟时间：

23 ns

第 # 部分别名：

BSS83PH6327XT BSS83PH6327XTSA1 SP000702486

单位重量：

0.000282 oz

Tags

BSS83PH6, BSS83PH, BSS83P, BSS83, BSS8, BSS