SSM3J117TU,LF

产品属性

属性值

制造商：

东芝

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

UFM-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

2 A

Rds On - 漏源电阻：

225 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1.2 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

800 mW

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

0.7 mm

长度：

2 mm

产品：

MOSFET

系列：

SSM3J117

类型：

功率MOSFET

宽度：

1.7 mm

品牌：

东芝

正向跨导 - 最小值：

1.6 S

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

单位重量：

0.050717 oz

Tags

SSM3J117, SSM3J11, SSM3J1, SSM3J, SSM3, SSM