SSM3K16CTC,L3F

产品属性

属性值

制造商：

东芝

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

CST-3C

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

200 mA

Rds On - 漏源电阻：

1.6 Ohms

Vgs th - 栅源阈值电压：

350 mV

Vgs - 栅源电压：

10 V

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

500 mW (1/2 W)

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

晶体管类型：

1 N-Channel

品牌：

东芝

正向跨导 - 最小值：

0.28 S

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

10000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

18 ns

典型的开启延迟时间：

36 ns

单位重量：

0.000019 oz

Tags

SSM3K16CTC, SSM3K16C, SSM3K16, SSM3K1, SSM3K, SSM3, SSM