IXFB120N50P2

产品属性

属性值

制造商：

IXYS

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

PLUS-264-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

500 V

Id - 连续漏极电流：

120 A

Rds On - 漏源电阻：

43 mOhms

Vgs - 栅源电压：

30 V

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1.89 kW

配置：

单身的

商品名：

高功率场效应晶体管

打包：

管子

系列：

IXFB120N50

晶体管类型：

1 N-Channel

类型：

PolarP2 HiPerFET

品牌：

IXYS

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

25

子类别：

MOSFET

单位重量：

0.373904 oz

Tags

IXFB1, IXFB, IXF