SP8M21FRATB

产品属性

属性值

制造商：

罗姆半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOP-8

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N沟道，P沟道

Vds - 漏源击穿电压：

45 V

Id - 连续漏极电流：

6 A, 4 A

Rds On - 漏源电阻：

18 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1 V

Vgs - 栅源电压：

10 V

Qg - 门电荷：

15.4 nC, 20 nC

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

2 W

配置：

双重的

频道模式：

增强

资质：

AEC-Q101

打包：

卷轴

晶体管类型：

1 N-Channel, 1 P-Channel

品牌：

罗姆半导体

秋季时间：

27 ns, 22 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

30 ns, 23 ns

出厂包装数量：

2500

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

72 ns, 90 ns

典型的开启延迟时间：

19 ns, 23 ns

第 # 部分别名：

SP8M21FRA

Tags

SP8M21F, SP8M21, SP8M2, SP8M, SP8