SI5948DU-T1-GE3

产品属性

属性值

制造商：

威世

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

PowerPAK-ChipFET-Dual-8

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

40 V

Id - 连续漏极电流：

6 A

Rds On - 漏源电阻：

82 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

5 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

7 W

配置：

双重的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

0.75 mm

长度：

3 mm

系列：

SI5

晶体管类型：

2 N-Channel

宽度：

1.8 mm

品牌：

威世 / Siliconix

正向跨导 - 最小值：

11 S

秋季时间：

25 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

41 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

9 ns

典型的开启延迟时间：

11 ns

Tags

SI594, SI59, SI5