IRF6709S2TRPBF

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

DirectFET-S1

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

25 V

Id - 连续漏极电流：

39 A

Rds On - 漏源电阻：

10.1 mOhms

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

8.1 nC

Pd - 功耗：

21 W

配置：

单身的

打包：

卷轴

高度：

0.74 mm

长度：

4.85 mm

晶体管类型：

1 N-Channel

宽度：

3.95 mm

品牌：

英飞凌/红外

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

4800

子类别：

MOSFET

第 # 部分别名：

SP001530266

Tags

IRF670, IRF67, IRF6, IRF