MMBT5401WT1G

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

双极晶体管 - BJT

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-323-3

晶体管极性：

PNP

配置：

单身的

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

- 150 V

集电极-基极电压 VCBO：

- 160 V

发射极基极电压 VEBO：

- 5 V

集电极-发射极饱和电压：

- 200 mV

最大直流集电极电流：

- 500 mA

增益带宽积 fT：

300 MHz

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

系列：

MMBT5401W

直流电流增益 hFE 最大值：

240 at - 10 mA, - 5 VDC

打包：

卷轴

品牌：

安森美半导体

DC 集电极/基极增益 hfe 最小值：

60 at - 10 mA, - 5 VDC

Pd - 功耗：

400 mW

产品类别：

BJT - 双极晶体管

出厂包装数量：

3000

子类别：

晶体管

单位重量：

0.000176 oz

Tags

MMBT54, MMBT5, MMBT, MMB