2N5195G

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

双极晶体管 - BJT

RoHS：

Y

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-225-3

晶体管极性：

PNP

配置：

单身的

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

80 V

集电极-基极电压 VCBO：

80 V

发射极基极电压 VEBO：

5 V

集电极-发射极饱和电压：

1.4 V

最大直流集电极电流：

4 A

增益带宽积 fT：

2 MHz

最低工作温度：

- 65 C

最高工作温度：

+ 150 C

系列：

2N5195

高度：

11.04 mm

长度：

7.74 mm

打包：

大部分

宽度：

2.66 mm

品牌：

安森美半导体

连续集电极电流：

4 A

DC 集电极/基极增益 hfe 最小值：

20

Pd - 功耗：

40 W

产品类别：

BJT - 双极晶体管

出厂包装数量：

500

子类别：

晶体管

单位重量：

0.023986 oz

Tags

2N5195, 2N519, 2N51, 2N5