SSM6L39TU,LF

产品属性

属性值

制造商：

东芝

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

UF-6

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N沟道，P沟道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

1.6 A, 1.5 A

Rds On - 漏源电阻：

247 mOhms, 430 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

350 mV, 300 mV

Vgs - 栅源电压：

10 V, 8 V

Qg - 门电荷：

7.5 nC, 6.4 nC

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

500 mW (1/2 W)

配置：

双重的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

0.7 mm

长度：

2 mm

系列：

SSM6L39

宽度：

1.7 mm

品牌：

东芝

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

单位重量：

0.000247 oz

Tags

SSM6L3, SSM6L, SSM6, SSM