GB100XCP12-227

产品属性

属性值

制造商：

GeneSiC半导体

产品分类：

IGBT 模块

RoHS：

Y

技术：

碳化硅

产品：

IGBT 碳化硅模块

配置：

IGBT-逆变器

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

1200 V

集电极-发射极饱和电压：

1.9 V

栅极-发射极漏电流：

400 nA

包装/案例：

SOT-227

最低工作温度：

- 40 C

最高工作温度：

+ 175 C

打包：

大部分

系列：

GB100XCP12

品牌：

GeneSiC半导体

安装方式：

贴片/贴片

最大栅极发射极电压：

20 V

产品类别：

IGBT 模块

出厂包装数量：

10

子类别：

IGBT

单位重量：

1.058219 oz

Tags

GB100, GB10, GB1