BSP299H6327XUSA1

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-223-4

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

500 V

Id - 连续漏极电流：

400 mA

Rds On - 漏源电阻：

3.1 Ohms

Vgs th - 栅源阈值电压：

2.1 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

-

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1.8 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

1.6 mm

长度：

6.5 mm

系列：

BSP299

晶体管类型：

1 N-Channel

宽度：

3.5 mm

品牌：

英飞凌科技

正向跨导 - 最小值：

300 mS

秋季时间：

30 ns

湿气敏感：

是的

产品类别：

MOSFET

上升时间：

15 ns

出厂包装数量：

1000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

55 ns

典型的开启延迟时间：

8 ns

第 # 部分别名：

BSP299 H6327 SP001058628

单位重量：

0.003951 oz

Tags

BSP299H, BSP299, BSP29, BSP2, BSP