FGA30N65SMD

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

IGBT晶体管

RoHS：

Y

技术：

硅

包装/案例：

TO-3PN-3

安装方式：

通孔

配置：

单身的

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

650 V

集电极-发射极饱和电压：

2.29 V

最大栅极发射极电压：

20 V

25 C 时的连续集电极电流：

60 A

Pd - 功耗：

300 W

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 175 C

系列：

FGA30N65SMD

打包：

管子

连续集电极电流 Ic 最大值：

30 A

品牌：

安森美半导体/飞兆半导体

栅极-发射极漏电流：

400 nA

产品类别：

IGBT晶体管

出厂包装数量：

450

子类别：

IGBT

单位重量：

0.225789 oz

Tags

FGA30N6, FGA30N, FGA30, FGA3, FGA