IPL65R190E6AUMA1

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

VSON-4

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

650 V

Id - 连续漏极电流：

20.2 A

Rds On - 漏源电阻：

190 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

3 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

73 nC

最低工作温度：

- 40 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

151 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

商品名：

酷摩

打包：

卷轴

高度：

1.1 mm

长度：

8 mm

系列：

CoolMOS E6

晶体管类型：

1 N-Channel

宽度：

8 mm

品牌：

英飞凌科技

秋季时间：

10 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

11 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

112 ns

典型的开启延迟时间：

12 ns

第 # 部分别名：

IPL65R190E6AUMA1 SP001074938

Tags

IPL65R19, IPL65R1, IPL65R, IPL65, IPL6, IPL