BSV236SP H6327

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-363-6

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

1.5 A

Rds On - 漏源电阻：

131 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1.2 V

Vgs - 栅源电压：

12 V

Qg - 门电荷：

- 5.7 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

560 mW

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

0.9 mm

长度：

2 mm

系列：

BSV236

晶体管类型：

1 P-Channel

宽度：

1.25 mm

品牌：

英飞凌科技

正向跨导 - 最小值：

2.2 S

秋季时间：

12.2 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

8.5 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

14.1 ns

典型的开启延迟时间：

5.7 ns

第 # 部分别名：

BSV236SPH6327XT BSV236SPH6327XTSA1 SP000917672

单位重量：

0.000265 oz

Tags

BSV236SPH, BSV23, BSV2, BSV