TK6P60W,RVQ

产品属性

属性值

制造商：

东芝

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TO-252-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

600 V

Id - 连续漏极电流：

6.2 A

Rds On - 漏源电阻：

820 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

2.7 V

Vgs - 栅源电压：

10 V

Qg - 门电荷：

12 nC

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

60 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

2.3 mm

长度：

6.5 mm

系列：

TK6P60W

晶体管类型：

1 N-Channel

宽度：

5.5 mm

品牌：

东芝

秋季时间：

7 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

18 ns

出厂包装数量：

2000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

55 ns

典型的开启延迟时间：

40 ns

单位重量：

0.139332 oz

Tags

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