2N5582/TR

产品属性

属性值

制造商：

微芯片

产品分类：

双极晶体管 - BJT

RoHS：

N

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-46-3

晶体管极性：

NPN

配置：

单身的

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

50 V

集电极-基极电压 VCBO：

75 V

发射极基极电压 VEBO：

6 V

集电极-发射极饱和电压：

1 V

最大直流集电极电流：

800 mA

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 200 C

直流电流增益 hFE 最大值：

300 at 150 mA, 10 V

打包：

卷轴

品牌：

微芯片/Microsemi

DC 集电极/基极增益 hfe 最小值：

30 at 500 mA, 10 V

Pd - 功耗：

500 mW

产品类别：

BJT - 双极晶体管

出厂包装数量：

100

子类别：

晶体管

Tags

2N558, 2N55, 2N5