UM6K1NTN

产品属性

属性值

制造商：

罗姆半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-363-6

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

100 mA

Rds On - 漏源电阻：

8 Ohms

Vgs th - 栅源阈值电压：

800 mV

Vgs - 栅源电压：

4 V

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

150 mW

配置：

双重的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

0.9 mm

长度：

2 mm

产品：

MOSFET 小信号

系列：

UM6K1N

晶体管类型：

2 N-Channel MOSFET

类型：

MOSFET

宽度：

1.25 mm

品牌：

罗姆半导体

秋季时间：

80 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

35 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

80 ns

典型的开启延迟时间：

15 ns

第 # 部分别名：

UM6K1N

单位重量：

0.000265 oz

Tags

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