BSM75GB120DN2

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

IGBT 模块

RoHS：

N

产品：

IGBT 硅模块

配置：

半桥

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

1200 V

集电极-发射极饱和电压：

2.5 V

25 C 时的连续集电极电流：

105 A

栅极-发射极漏电流：

320 nA

Pd - 功耗：

625 W

包装/案例：

Half Bridge1

最低工作温度：

- 40 C

最高工作温度：

+ 150 C

打包：

托盘

高度：

30.5 mm

长度：

94 mm

宽度：

34 mm

品牌：

英飞凌科技

安装方式：

底盘安装

最大栅极发射极电压：

20 V

产品类别：

IGBT 模块

出厂包装数量：

10

子类别：

IGBT

第 # 部分别名：

BSM75GB120DN2HOSA1 SP000095923

Tags

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