CSD18536KTTT

产品属性

属性值

制造商：

德州仪器

产品分类：

MOSFET

RoHS：

N

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TO-263-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

60 V

Id - 连续漏极电流：

200 A

Rds On - 漏源电阻：

1.7 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1.8 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

140 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

375 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

商品名：

场效应管

打包：

卷轴

高度：

19.7 mm

长度：

9.25 mm

系列：

CSD18536KTT

晶体管类型：

1 N-Channel

宽度：

10.26 mm

品牌：

德州仪器

正向跨导 - 最小值：

312 S

秋季时间：

4 ns

湿气敏感：

是的

产品类别：

MOSFET

上升时间：

5 ns

出厂包装数量：

50

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

24 ns

典型的开启延迟时间：

11 ns

Tags

CSD18536, CSD1853, CSD185, CSD18, CSD1, CSD