BSB056N10NN3 G

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

WDSON-2-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

100 V

Id - 连续漏极电流：

83 A

Rds On - 漏源电阻：

5.6 mOhms

配置：

单身的

商品名：

优化MOS

打包：

卷轴

高度：

0.7 mm

长度：

6.35 mm

系列：

OptiMOS 3

晶体管类型：

1 N-Channel

宽度：

5.05 mm

品牌：

英飞凌科技

湿气敏感：

是的

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

5000

子类别：

MOSFET

第 # 部分别名：

BSB056N10NN3GXUMA1 BSB56N1NN3GXT SP000604540

Tags

BSB056, BSB05, BSB0, BSB