FF225R12ME4PBPSA1

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

IGBT 模块

RoHS：

Y

技术：

硅

产品：

IGBT 硅模块

配置：

半桥

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

1.2 kV

集电极-发射极饱和电压：

1.85 V

25 C 时的连续集电极电流：

450 A

栅极-发射极漏电流：

400 nA

Pd - 功耗：

20 mW

包装/案例：

模块

最低工作温度：

- 40 C

最高工作温度：

+ 150 C

打包：

托盘

品牌：

英飞凌科技

安装方式：

底盘安装

最大栅极发射极电压：

20 V

产品类别：

IGBT 模块

出厂包装数量：

6

子类别：

IGBT

第 # 部分别名：

FF225R12ME4P SP001344492

Tags

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