APTGF50VDA120T3G

产品属性

属性值

制造商：

微芯片

产品分类：

IGBT 模块

RoHS：

Y

产品：

IGBT 硅模块

配置：

双重的

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

1.2 kV

集电极-发射极饱和电压：

3.2 V

25 C 时的连续集电极电流：

70 A

栅极-发射极漏电流：

100 nA

Pd - 功耗：

312 W

包装/案例：

SP-3

最低工作温度：

- 40 C

最高工作温度：

+ 150 C

高度：

11.5 mm

长度：

73.4 mm

工作温度范围：

- 40 C to + 150 C

宽度：

40.8 mm

品牌：

微芯片/Microsemi

安装方式：

底盘安装

最大栅极发射极电压：

20 V

产品类别：

IGBT 模块

出厂包装数量：

50

子类别：

IGBT

Tags

APTGF5, APTGF, APTG, APT