BFU730F,115

产品属性

属性值

制造商：

恩智浦

产品分类：

射频双极晶体管

RoHS：

Y

晶体管类型：

双极

技术：

硅锗

DC 集电极/基极增益 hfe 最小值：

205

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

2.8 V

发射极基极电压 VEBO：

1 V

连续集电极电流：

5 mA

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT343F-4

打包：

卷轴

集电极-基极电压 VCBO：

10 V

直流电流增益 hFE 最大值：

555

高度：

0.75 mm

长度：

2.2 mm

工作频率：

55 GHz

类型：

射频硅锗

宽度：

1.35 mm

品牌：

恩智浦半导体

Pd - 功耗：

197 mW

产品类别：

射频双极晶体管

出厂包装数量：

3000

子类别：

晶体管

第 # 部分别名：

934064614115

单位重量：

0.000235 oz

Tags

BFU730F,1, BFU730F, BFU73, BFU7, BFU