IRF9952QTRPBF

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SO-8

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N沟道，P沟道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

3.5 A

Rds On - 漏源电阻：

150 mOhms

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

6.9 nC

Pd - 功耗：

2 W

配置：

双重的

高度：

1.75 mm

长度：

4.9 mm

晶体管类型：

1 N-Channel, 1 P-Channel

宽度：

3.9 mm

品牌：

英飞凌/红外

产品类别：

MOSFET

子类别：

MOSFET

单位重量：

0.019048 oz

Tags

IRF9952Q, IRF9952, IRF995, IRF99, IRF9, IRF