NTD20P06LT4G

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TO-252-4

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

60 V

Id - 连续漏极电流：

15.5 A

Rds On - 漏源电阻：

143 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1 V

Vgs - 栅源电压：

5 V

Qg - 门电荷：

15 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

65 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

2.38 mm

长度：

6.73 mm

系列：

NTD20P06L

晶体管类型：

1 P-Channel

类型：

MOSFET

宽度：

6.22 mm

品牌：

安森美半导体

正向跨导 - 最小值：

11 S

秋季时间：

70 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

90 ns

出厂包装数量：

2500

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

28 ns

典型的开启延迟时间：

11 ns

单位重量：

0.139332 oz

Tags

NTD20P06LT4G, NTD20P06LT, NTD20P06L, NTD20P06, NTD20P, NTD20, NTD2, NTD