FDB082N15A

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TO-263-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

150 V

Id - 连续漏极电流：

105 A

Rds On - 漏源电阻：

6.7 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

4 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

64.5 nC

Pd - 功耗：

231 W

配置：

单身的

商品名：

动力战壕

打包：

卷轴

高度：

4.83 mm

长度：

10.67 mm

系列：

FDB082N15A

晶体管类型：

1 N-Channel

宽度：

9.65 mm

品牌：

安森美半导体/飞兆半导体

正向跨导 - 最小值：

139 S

秋季时间：

26 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

58 ns

出厂包装数量：

800

子类别：

MOSFET

单位重量：

0.045856 oz

Tags

FDB082, FDB08, FDB0, FDB