STO33N60M6

产品属性

属性值

制造商：

意法半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TO-LL-8

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

600 V

Id - 连续漏极电流：

25 A

Rds On - 漏源电阻：

125 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

3.25 V

Vgs - 栅源电压：

25 V

Qg - 门电荷：

33.4 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

230 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

系列：

STO33N60M6

晶体管类型：

1 N-Channel

品牌：

意法半导体

秋季时间：

7.5 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

33 ns

出厂包装数量：

1800

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

38.5 ns

典型的开启延迟时间：

19.5 ns

Tags

STO3, STO