2N2222Ae3

产品属性

属性值

制造商：

微芯片

产品分类：

双极晶体管 - BJT

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-18-3

晶体管极性：

NPN

配置：

单身的

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

50 V

集电极-基极电压 VCBO：

75 V

发射极基极电压 VEBO：

6 V

集电极-发射极饱和电压：

1 V

最大直流集电极电流：

800 mA

增益带宽积 fT：

100 MHz

最低工作温度：

- 65 C

最高工作温度：

+ 200 C

打包：

铝箔袋

品牌：

微芯片/Microsemi

连续集电极电流：

800 mA

DC 集电极/基极增益 hfe 最小值：

30

Pd - 功耗：

500 mW

产品类别：

BJT - 双极晶体管

出厂包装数量：

1

子类别：

晶体管

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