SI5935CDC-T1-GE3

产品属性

属性值

制造商：

威世

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

ChipFET-8

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

4 A

Rds On - 漏源电阻：

100 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

400 mV

Vgs - 栅源电压：

8 V

Qg - 门电荷：

11 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

3.1 W

配置：

双重的

频道模式：

增强

商品名：

沟槽场效应晶体管

打包：

卷轴

高度：

1.1 mm

长度：

3.05 mm

系列：

SI54

晶体管类型：

2 P-Channel

宽度：

1.65 mm

品牌：

威世 / Siliconix

正向跨导 - 最小值：

9.5 S

秋季时间：

6 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

32 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

25 ns

典型的开启延迟时间：

10 ns

第 # 部分别名：

SI5935CDC-GE3 SIR814DP-T1-GE3

单位重量：

0.002998 oz

Tags

SI5935CDC-T1-G, SI5935CDC-T1, SI5935CDC-T, SI5935C, SI5935, SI593, SI59, SI5