NID5001NT4

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

N

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TO-252-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

42 V

Id - 连续漏极电流：

33 A

Rds On - 漏源电阻：

23 mOhms

Vgs - 栅源电压：

14 V

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

64 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

2.38 mm

长度：

6.73 mm

晶体管类型：

1 N-Channel

宽度：

6.22 mm

品牌：

安森美半导体

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

2500

子类别：

MOSFET

单位重量：

0.139332 oz

Tags

NID5001N, NID5001, NID5, NID