IXZR18N50A-00

产品属性

属性值

制造商：

IXYS

产品分类：

射频 MOSFET 晶体管

RoHS：

Y

晶体管极性：

N通道

技术：

硅

Id - 连续漏极电流：

19 A

Vds - 漏源击穿电压：

500 V

Rds On - 漏源电阻：

370 mOhms

输出功率：

350 W

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 175 C

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-247-3

打包：

管子

系列：

IXZR18

类型：

射频功率MOSFET

品牌：

IXYS

正向跨导 - 最小值：

6.7 S

通道数：

1 Channel

产品类别：

射频 MOSFET 晶体管

Qg - 门电荷：

42 nC

出厂包装数量：

30

子类别：

MOSFET

Vgs - 栅源电压：

20 V

Vgs th - 栅源阈值电压：

4.6 V

Tags

IXZR18, IXZR1, IXZR, IXZ