2N7002E-T1-GE3

产品属性

属性值

制造商：

威世

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-23-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

60 V

Id - 连续漏极电流：

240 mA

Rds On - 漏源电阻：

3 Ohms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1 V

Vgs - 栅源电压：

4.5 V

Qg - 门电荷：

0.6 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

350 mW

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

系列：

2N7002E

晶体管类型：

1 N-Channel

品牌：

威世 / Siliconix

正向跨导 - 最小值：

600 mS

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

18 ns

典型的开启延迟时间：

13 ns

第 # 部分别名：

2N7002E-GE3

单位重量：

0.000282 oz

Tags

2N7002E-T1, 2N7002E-T, 2N7002E, 2N7002, 2N700, 2N70, 2N7