IRF9Z24NSTRLPBF

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TO-252-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

55 V

Id - 连续漏极电流：

12 A

Rds On - 漏源电阻：

175 mOhms

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

12.7 nC

Pd - 功耗：

45 W

配置：

单身的

打包：

卷轴

高度：

2.3 mm

长度：

6.5 mm

晶体管类型：

1 P-Channel

宽度：

6.22 mm

品牌：

英飞凌科技

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

800

子类别：

MOSFET

第 # 部分别名：

SP001554552

单位重量：

0.139332 oz

Tags

IRF9Z24NSTRL, IRF9Z24NST, IRF9Z24NS, IRF9Z24N, IRF9Z24, IRF9Z2, IRF9Z, IRF9, IRF