DMN62D0SFD-7

产品属性

属性值

制造商：

二极管公司

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

X1-DFN1212-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

60 V

Id - 连续漏极电流：

540 mA

Rds On - 漏源电阻：

2 Ohms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1.6 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

870 pC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

890 mW

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

系列：

DMN62D

晶体管类型：

1 N-Channel

品牌：

二极管公司

秋季时间：

9.04 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

3.81 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

16 ns

典型的开启延迟时间：

3.95 ns

Tags

DMN62D0, DMN62, DMN6, DMN