IXFB110N60P3

产品属性

属性值

制造商：

IXYS

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

PLUS-264-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

600 V

Id - 连续漏极电流：

110 A

Rds On - 漏源电阻：

56 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

5 V

Vgs - 栅源电压：

30 V

Qg - 门电荷：

245 nC

Pd - 功耗：

1.89 kW

配置：

单身的

商品名：

高功率场效应晶体管

打包：

管子

系列：

IXFB110N60

晶体管类型：

1 N-Channel

品牌：

IXYS

正向跨导 - 最小值：

105 S, 65 S

秋季时间：

11 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

19 ns

出厂包装数量：

25

子类别：

MOSFET

单位重量：

0.056438 oz

Tags

IXFB1, IXFB, IXF