TGF2120

产品属性

属性值

制造商：

科沃

产品分类：

射频 JFET 晶体管

RoHS：

Y

晶体管类型：

pHEMT

技术：

砷化镓

获得：

11 dB

Vds - 漏源击穿电压：

8 V

Vgs - 栅源击穿电压：

- 12 V

Id - 连续漏极电流：

194 mA

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

4.2 W

包装/案例：

死

打包：

凝胶包

配置：

单身的

工作频率：

20 GHz

产品：

射频结型场效应管

类型：

GaAs pHEMT

品牌：

科沃

正向跨导 - 最小值：

464 mS

P1dB - 压缩点：

31 dBm

产品类别：

射频 JFET 晶体管

出厂包装数量：

100

子类别：

晶体管

第 # 部分别名：

1098613

Tags

TGF2, TGF