TPS1101DR

产品属性

属性值

制造商：

德州仪器

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOIC-8

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

15 V

Id - 连续漏极电流：

2.3 A

Rds On - 漏源电阻：

90 mOhms

Vgs - 栅源电压：

2 V, - 15 V

最低工作温度：

- 40 C

最高工作温度：

+ 125 C

Pd - 功耗：

791 mW

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

1.75 mm

长度：

4.9 mm

产品：

MOSFET 小信号

系列：

TPS1101

晶体管类型：

1 P-Channel

类型：

PMOS 开关

宽度：

3.9 mm

品牌：

德州仪器

秋季时间：

5.5 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

5.5 ns

出厂包装数量：

2500

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

19 ns

典型的开启延迟时间：

6.5 ns

单位重量：

0.002677 oz

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